產品介紹
利用液相法生長的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質等優勢,能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求
主要指標
晶型:4H/6H 尺寸:50.8±0.38 mm
厚度:350±25μm 微管密度:<0.1 cm-2
電阻率:0.06~0.11 Ω?cm
產品咨詢:劉先生18611467681
地址:北京市順義區順強路1號嘉德工場4號樓
郵編:101300
聯系方式:010-81477486
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