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4英寸低阻高摻p型碳化硅襯底


產品介紹

利用液相法生長的P型碳化硅襯底具有低電阻、高摻雜濃度、高品質等優勢,能滿足n溝道SiC IGBT、GTO等高壓雙極型器件的制備需求


主要指標

晶型:4H/6H     尺寸:99.5~100 mm              

厚度:350±25 μm   微管密度:<0.1 cm-2

電阻率:0.06~0.11 Ω?cm


產品咨詢:劉先生18611467681

地址:北京市順義區順強路1號嘉德工場4號樓

郵編:101300

聯系方式:010-81477486

郵箱:lattice@jinggelingyu.com

 

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