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北京晶格領域半導體有限公司
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4英寸3C N型碳化硅襯底

產品介紹

3C N型SiC具有更高的電子遷移率(3C-SiC,1100 cm2/V?s;4H-SiC,900 cm2/V?s),同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度,可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性,能大幅度提高器件產品良率。

主要指標

晶型:3C     尺寸:50.8±0.38 mm              

厚度:350±25μm   微管密度:<0.1 cm-2

電阻率≤0.0006 Ω?cm


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