產品介紹
3C N型SiC具有更高的電子遷移率(3C-SiC,1100 cm2/V?s;4H-SiC,900 cm2/V?s),同時由于3C-SiC具有更小的禁帶寬度,可使器件在氧化層制備上具有更小的FN隧穿電流以及可靠性,能大幅度提高器件產品良率。
主要指標
晶型:3C 尺寸:50.8±0.38 mm
厚度:350±25μm 微管密度:<0.1 cm-2
電阻率≤0.0006 Ω?cm
產品咨詢:劉先生18611467681
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郵編:101300
聯系方式:010-81477486
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